第一二零三章 500nm光刻机研制成功

第一二零三章 500nm光刻机研制成功 (第1/2页)

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　　临近年尾，孙健有许多大事要处理，不会为终审法院的判决而长吁短叹，昨天接到魏建国的电话，8英寸晶圆和500nm制程工艺光刻机在BSEC研制成功！
　　
　　虽然在10月底就接到好消息，研发工程已经到了尾声，但真正接到确凿的消息，孙健还是很高兴的，当天就乘飞机来到京城，向全体研发人员表示祝贺，当场宣布公司拿出300万元，按照贡献大小，奖励全体研发人员。
　　
　　从6英寸晶圆、800nm制程工艺光刻机到8英寸晶圆、500nm制程工艺光刻机是一道大坎，BSEC投资了8亿元，耗费了18个月！
　　
　　一旦跨过，BSE、180nm制程工艺光刻机就相对容易一些。
　　
　　因为邓国辉院士领导的光刻机光源研究所经过三年多的努力，7月14日，研制成功全球第一台浸没式193nm光刻机试验机，波长达到134nm，突破了193nm波长极限的世界性难题，因所用的光学系统是委托CarlZeissAG生产的，没有完全自主的知识产权，秘而不宣，等BSEC光刻机光学研究所研制的光学系统达到要求后，再申请公司发明专利。
　　
　　从193nm干式光刻机到193nm浸没式光刻机，突破了193nm波长极限的世界性难题，是一种划时代的光刻技术。
　　
　　前世90年代末，随着摩尔定律的继续演进，光刻机制程工艺从130nm进入90nm，晶圆尺寸也从8英寸升级到12英寸，但大家都没想到，半导体产业在193nm波长上卡了将近20年！
　　
　　大家发现，干式193nm光刻机的极限制程工艺是65nm，再往下就很难实现了，如何突破65nm，跨入40nm制程工艺，成为阻挡在所有半导体厂商面前的拦路虎。
　　
　　G两大光刻机巨头如今正在研制130nm制程工艺的光刻机，上面还有90nm、65nm制程工艺的光刻机，还没有碰到65nm制程工艺的极限！
　　
　　BSEC所采用的光刻机光源是GmArF准分子激光器，为了掌握其核心技术，邓国辉和钱富强率领光刻机光源研究技术人员丢掉对方的图纸，重新研制了一遍，BSEC光刻机公司如今能生产满足1um制程工艺、800nm制程工艺和500nm制程工艺的193nmArF准分子激光器，按照双方当初签订的公司发明专利转让协定，这些准分子激光器只能在BSEC光刻机上使用。
　　
　　1995年7月，钱富强晋升研究员，担任光刻机光源研究所所长。
　　
　　邓国辉院长主持BSEC光刻机研究院的全盘工作。
　　
　　BSEC能生产8英寸晶圆、500nm制程工艺的光刻机，虽然离G制程工艺的光刻机，还差350nm、250nm和180nm三道关口，但这一步跨出去是多么的不易？
　　
　　不亲自参与其中，不知道研发过程中的艰难！
　　
　　BSE制程工艺的半导体生产线只是时间问题。
　　
　　从1996年6月开始，BSEC投资8亿元用于研发8英寸晶圆和500nm制程工艺光刻机，一晃就过去了18个月，由邓国辉、欧阳明、陈伟长和夏季常等四位院士主持的这项系统性的研发工程终成正果。
　　
　　光刻机自动化研究所早就准备好了满足500nm制程工艺光刻机所需要的磁悬浮式双工作台系统，这套系统是GCA1995年在BSEC提供的公司发明专利基础上研发成功的，专利属于BSEC。
　　
　　

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